Filem nitrida silikon gred elektronik dihasilkan oleh pemendapan wap kimia atau pemendapan wap kimia yang dipertingkatkan plasma:
3 sih4 (g) + 4 nh3 (g) → Si3n4 (s) + 12 h2 (g)
3 sicl4 (g) + 4 nh3 (g) → Si3n4 (s) + 12 hcl (g)
3 sicl2h2 (g) + 4 nh3 (g) → Si3n4 (s) + 6 hcl (g) + 6 h2 (g)
Jika silikon nitrida akan didepositkan pada substrat semikonduktor, dua kaedah tersedia:
1.
Gunakan pemendapan wap kimia tekanan rendah pada suhu yang agak tinggi dalam relau tiub menegak atau mendatar.
2.
Pemendapan wap kimia yang dipertingkatkan pada suhu yang agak rendah dalam vakum.
Parameter sel unit silikon nitrida adalah berbeza daripada silikon unsur. Oleh itu, bergantung kepada kaedah pemendapan, filem silikon nitrida yang terhasil akan mempunyai ketegangan atau tekanan. Khususnya, apabila plasma meningkatkan pemendapan wap kimia digunakan, ketegangan dapat dikurangkan dengan menyesuaikan parameter pemendapan.
Silicon dioksida pertama kali disediakan oleh kaedah sol-gel, dan kemudian gel silika yang mengandungi zarah karbon ultrafine dirawat oleh pengurangan karboter dan nitridasi untuk mendapatkan nanowires nitrida silikon. Zarah karbon ultrafine dalam gel silika dihasilkan dengan menguraikan glukosa pada darjah 1200-1350. Reaksi yang terlibat dalam proses sintesis mungkin:
SiO2 (s) + C (s) → SIO (g) + Co (g)
3 sio (g) + 2 n2 (g) + 3 co (g) → si3n4 (s) + 3 co2 (g) atau
3 sio (g) + 2 n2 (g) + 3 c (s) → Si3n4 (s) + 3 co (g)
