Kaedah sintesisnya terutamanya menggunakan unsur silikon dan nitrogen untuk tindak balas kimia di bawah keadaan 1,300 darjah Celsius hingga 1,400 darjah Celsius, dan kemudian memperoleh silikon nitrida. Ia juga boleh disintesis melalui diimine, atau karbon boleh digunakan. Tindak balas pengurangan terma disintesis di bawah nitrogen antara 1,400 darjah Celsius dan 1,450 darjah Celsius. Tindak balas pengurangan karboterma ialah cara yang mudah dan cara yang menjimatkan kos untuk mengeluarkan serbuk silikon nitrida dalam industri.
Jika anda ingin mendepositkan silikon nitrida pada semikonduktor, anda boleh menggunakan teknologi pemendapan wap kimia tekanan rendah pada suhu yang agak tinggi menggunakan relau tiub menegak atau mendatar, atau anda boleh menggunakan teknologi pemendapan wap kimia yang dipertingkatkan plasma pada suhu yang agak tinggi. . Lakukan di bawah vakum rendah. Oleh kerana parameter sel unit silikon nitrida adalah berbeza daripada silikon unsur, filem silikon nitrida yang dihasilkan akan menjana ketegangan atau tegasan bergantung kepada kaedah pemendapan. Terutama apabila teknologi pemendapan wap kimia yang dipertingkatkan plasma digunakan, ia boleh diselaraskan oleh Parameter pemendapan itu bertindak mengurangkan ketegangan.
Nitrida silikon berbutir sukar diproses dan tidak boleh dipanaskan di atas takat lebur, kerana jika takat lebur melebihi, nitrida silikon akan terurai menjadi silikon dan nitrogen, jadi anda mesti memberi perhatian kepada ini semasa pemprosesan.
