Silikon Karbida Kasar
video

Silikon Karbida Kasar

Karbida Silikon Kasar ialah bahan semikonduktor sebatian yang terdiri daripada silikon (Si) dan karbon (C). Ia mempunyai ikatan yang sangat kuat dan stabil dari segi haba, kimia dan mekanikal.
Hantar pertanyaan
pengenalan produk

Silikon Karbida 100 Grit Penerangan

Peranti elektronik kuasa tinggi semikonduktor generasi ketiga yang diwakili oleh SiC ialah salah satu peranti semikonduktor kuasa yang paling pesat berkembang dalam bidang elektronik kuasa.

 

Silikon karbida sebagai wakil tipikal bahan semikonduktor generasi ketiga, tetapi juga teknologi pengeluaran kristal yang paling matang dan tahap pembuatan peranti, salah satu bahan semikonduktor lebar jalur lebar yang paling banyak digunakan, telah membentuk rantaian industri bahan, peranti dan aplikasi global. Ia adalah bahan semikonduktor yang ideal untuk aplikasi suhu tinggi, frekuensi tinggi, tahan sinaran dan berkuasa tinggi.

 

 

 

 

Spesifikasi Produk Silicon Carbide

Pembekal Produk Silicon Carbide-ZhenAn International

 

 

ANALISIS KIMIA TYPICAL
SiC 99.05%
SiO2 0.20%
F,Si 0.03%
Fe2O3 0.10%
F.C 0.04%
SIFAT FIZIKAL TYPICAL
Kekerasan: Mohs:9.5
Takat Lebur: Sublimes pada 2600 darjah
Suhu perkhidmatan maksimum: 1900 darjah
Graviti Tentu: 3.2g/cm³
Ketumpatan pukal (LPD): 1.2-1.6 g/cm3
warna: hijau
Bentuk zarah: Heksagon

 

Pengeluar Silicon Carbide 100 Grit-ZhenAn International

Silicon Carbide 100 Grit manufacturer-ZhenAn International

 

Pembekal Serbuk SiC-ZhenAn

 SiC Powder supplier-ZhenAn

 

Sifat mekanikal:kekerasan tinggi (kekerasan Kjeldahl 3000kg/mm²), boleh memotong delima; rintangan haus yang tinggi, kedua selepas berlian.

 

Sifat terma:kekonduksian haba melebihi kuprum logam, 3 kali ganda Si dan 8 hingga 10 kali ganda GaAs, pelesapan haba yang baik, sangat penting untuk peranti kuasa tinggi.

 

Sifat kimia:rintangan kakisan adalah sangat kuat, pada suhu bilik boleh menahan hampir mana-mana agen menghakis yang diketahui. SiC permukaan pengoksidaan mudah untuk menjana lapisan nipis SiO2, boleh menghalang pengoksidaan selanjutnya, lebih tinggi daripada 1700 darjah, lapisan oksida filem lebur dan tindak balas pengoksidaan yang cepat. SiC boleh dilarutkan dalam bahan agen pengoksidaan cair.

 

Sifat elektrik:Jurang jalur 4H-SiC dan 6H-SiC adalah kira-kira 3 kali ganda daripada Si, 2 kali ganda daripada GaAs; kekuatan medan elektrik pecahannya adalah satu urutan magnitud lebih tinggi daripada Si, dan kadar hanyutan elektron tepu ialah 2.5 kali ganda daripada Si. 4H-SiC mempunyai jurang jalur yang lebih luas daripada 6H-SiC.

 

36 Grit Silicon Carbide Gambar lawatan pelanggan

36 Grit Silicon Carbide Customer visit photos

 

Soalan Lazim

 

 

S: Adakah harga boleh dirunding?

J: Ya, sila hubungi kami pada bila-bila masa jika anda mempunyai sebarang pertanyaan. Dan bagi pelanggan yang ingin meluaskan pasaran, kami akan melakukan yang terbaik untuk menyokong mereka.

S: Bolehkah anda membekalkan sampel percuma?

J: Ya, kami boleh memberikan sampel percuma kepada pelanggan untuk mereka menyemak kualiti atau melakukan analisis kimia, tetapi sila beritahu kami keperluan terperinci untuk kami menyediakan sampel yang betul.

S: Bilakah anda boleh menghantar barang?

A: Biasanya, kami boleh menghantar barang dalam masa 15-20 hari selepas kami menerima bayaran pendahuluan atau L/C asal.

S: Bolehkah anda membekalkan laporan ujian yang dikeluarkan oleh SGS atau pemeriksaan pihak ketiga yang lain?

J: Ya, kami boleh, jika pelanggan meminta laporan ujian pihak ketiga.

Kami amat berharap untuk menjadi rakan kongsi anda, kami mengalu-alukan pelanggan baru dan lama untuk melawat panduan serta pelbagai bentuk ceramah kerjasama perdagangan!

Cool tags: karbida silikon kasar, pengeluar karbida silikon kasar China, pembekal, kilang, 1200 grit silikon karbida, 1200 serbuk karbida silikon grit, 180 220 serbuk karbida silikon grit, Serbuk halus silikon hitam, Grit karbida silikon kasar, Serbuk karbida silikon 80 120 grit

Hantar pertanyaan

Rumah

Telefon

E-mel

Siasatan